對于編程器來說，可編程的芯片有很多種類型，對于主流路由芯片的發展史和解析這里小編和大家講解一下。
 一、IIC EEPROM

此芯片有簡單的兩條總線線路，一條串行數據線(SDA)，一條串行時鐘線(SCL)；位速率標準模式下可達100Kbit/s；一種電可擦除可編程只讀存儲器，常用芯片型號有 AT24C02、FM24C02、CAT24C02等，其常見的封裝多為DIP8，SOP8，TSSOP8等；屬于過時產品，不再詳細闡述~~

     二、CFI Flash

   此為并行總線的nor flash閃存。擁有獨立的數據線和地址總線，它同樣繼承了NOR技術Flash Memory的所有特點；由于采用了Parallel接口，Parallel NorFalsh相對于SPI NorFlash,支持的容量更大，讀寫的速度更快，但是由于占用的地址線和數據線太多，所以多用于不需要經常更改程序代碼的數據存儲。

    二、SPI  Flash

   確切的說，應該叫SPINorFlash更準確一些，這種是串行總線接口，也就是我們路由上常用的閃存芯片居多，SPI NorFlash接口簡單，使用的引腳少，易于連接，操作方便，并且可以在芯片上直接運行代碼，其穩定性出色，傳輸速率高，在小容量時具有很高的性價比，這使其很適合應于嵌入式系統中。

   四、CFI NandFlash

    不知道這樣叫是否準確，但是為了方便記憶，就這么理解好了。NandFlash在工藝制程方面分有三種類型：SLC、MLC、TLC。看到這，相信有些人已經明白其應用了，不作多解釋。其主要用來數據存儲，大部分的U盤都是使用 NandFlash，常見的封裝多為TSOP48、BGA63、BGA107，BGA137等。

   五、SPI NandFlash

     采用了SPI NorFlash一樣的SPI的通信協議，在讀寫的速度上沒什么區別，但在存儲結構上卻采用了與CFI NandFlash相同的結構，所以SPI nand相對于SPI norFlash具有擦寫的次數多，擦寫速度快的優勢，在使用以及使用過程中會出現壞塊，芯片自己有內部ECC糾錯模塊。

   六、eMMC Flash

     eMMC采用統一的MMC標準接口，其接口電壓可以是 1.8v 或者是 3.3v。小盆友們可以這么理解，那就是NAND+主控芯片=EMMC芯片。這樣好理解一點。主要是針對手機或平板電腦等產品的內嵌式存儲器，光貓，機頂盒也有采用。老款手機，2015年以前吧，不知道記憶的是否準確，大多這種存儲芯片。

   七、USF閃存

   這個就厲害了，屬于屌炸天系列，目前主流旗艦手機多采用UFS2.1閃存，編程器價格自己去查，我只能呵呵了，從2013年9月發布了第一代的通用閃存存儲器標準USF2.0開始，到如今的2.1，你如果知道固態硬盤的M.2，然后做個比較，就知道什么叫速度。eMMC是半雙工，讀寫必須分開執行，這就是差距。UFS芯片不僅傳輸速度快，功耗也要比eMMC5.0低一半。某為手機P10閃存門時間鬧得沸沸揚揚，就是這廝引起的，不再表述。

     以上是我個人對近年來閃存的一些理解，可能和佐大等一些大神的理解有點出入，具體有待進一步學習補充，不足之處，也希望大神們不吝賜教，做個補充，隨時告知本人修正。不勝感激。本人在各大群ID奇星，有問題大家可以互相探討，一起學習~~此三篇到此結束~~~沒有大家的鼓勵，我連圖片也懶得上傳了~~以后再說吧

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